高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用 |
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| 成果类别：新品研发 | 项目负责人：杨士勇 |
| 专利情况：获得专利 | 知识产权：中国科学院化学研究所 |
| 获奖信息： | 研发状态：自主研发 |
| 详细描述： | |
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本发明公开了一种高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用。该导电薄膜利用射频磁控溅射技术，以兼具高透明和高耐热特性的柔性PI薄膜为基底，采用高温两步法沉积ITO导电层制备得到，该导电薄膜兼具低电阻率和高透明性的特点，电阻率低于6.4×10<sup>-4</sup>Ω·cm，可见光区平均透过率高于80％，且黄度指数小于9，在柔性太阳能电池、柔性显示器、电子书、电子标签、光电传感器等光电器件的制造中具有重要的应用价值。
专利类型：发明专利 申请(专利)号：CN201510102429.6 申请日期：2015年3月9日 申请(专利权)人：中国科学院化学研究所 发明(设计)人：范琳,温钰,杨士勇
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